闪存是什么意思？

首先，闪存是什么意思

　　1.仓库

　　闪存是一种长寿命的非易失性存储器(在断电的情况下仍然可以保存存储的数据信息)。数据删除不是基于单个字节，而是基于固定的块(注意：或非闪存是字节存储。)，块大小一般为256KB到20MB。

　　2.闪存通常用于保存设置信息

　　闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变体。闪存和EEPROM的区别在于，EEPROM可以在字节级删除和重写，而不是擦除整个芯片，闪存中的大多数芯片都需要块擦除。因为断电时仍然可以保存数据，所以闪存通常用于保存设置信息，如将数据保存在计算机的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机等。

　　3.闪存是非易失性存储器

　　即使断电，数据也不会丢失。因为闪存不像随机存取存储器那样以字节为单位重写数据，所以它不能代替随机存取存储器。闪存卡是一种使用闪存技术存储电子信息的存储器。一般在数码相机、掌上电脑、MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以体积小，像卡一样，所以叫闪存卡。

　　4.类型

　　根据厂商不同，应用不同，大概有SmartMedia(SM卡)、Compact Flash(CF卡)、MultiMediaCard(MMC卡)、Secure Digital(SD卡)、Memory Stick(记忆棒)、XD-Picture Card(XD卡)、MICRODRIVE，外观和规格不同，但技术原理相同。

　　5.或非门闪存和与非门闪存的区别

　　NOR闪存与NAND闪存有很大的不同。比如NOR闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但是更贵，容量更小；NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共享I/O线，所有类似硬盘的信息都是通过一条硬盘线传输的。与或非门闪存相比，与非门闪存成本更低，容量更大。

　　二、闪存的应用前景

　　1.“u盘”是闪存进入日常生活最明显的写照。事实上，闪存早在u盘出现之前就已经出现在许多电子产品中了。传统的数据存储方式是使用RAM进行易失性存储，电池没电时数据会丢失。闪存产品克服了这个问题，使数据存储更加可靠。除了闪存驱动器，闪存还用于电脑BIOS、PDA、数码相机、录音机、手机、数字电视、游戏机等电子产品。

　　2.早在1998年，u盘就进入了市场。接口从USB1.0发展到2.0再到最新的USB3.0，速度逐渐提升。u盘的普及也间接推动了USB接口的普及。为什么u盘这么受欢迎？

　　3.闪存盘可以用来在计算机之间交换数据。容量方面，闪存盘容量可以在16MB到64GB之间选择，突破了软驱1.44MB的限制。读写速度方面，闪存盘采用USB接口，读写速度远高于软盘。

　　4.稳定性方面，闪存盘没有机械读写装置，避免了移动硬盘容易碰撞掉落造成的损坏。有些型号的闪存驱动器具有加密等功能，使用户使用更加个性化。闪存驱动器体积小巧，便于携带。并且采用了支持热插拔的USB接口，使用非常方便。

　　5.闪存正朝着大容量、低功耗、低成本的方向发展。与传统硬盘相比，闪存具有更高的读写速度和更低的功耗。闪存硬盘，又称SSD硬盘，已经出现在市场上，性价比得到进一步提升。随着制造技术的提高和成本的降低，闪存将越来越多地出现在日常生活中。

　　三、闪存的发展过程

　　1、提出概念

　　1984年，东芝公司的发明者冈冈藤雄首次提出了闪存的概念。与传统的计算机内存不同，闪存具有非易失性的特点(即主机断电后存储的数据不会丢失)，记录速度也很快。

　　2.或非门闪存

　　英特尔是世界上第一家生产闪存并投放市场的公司。1988年，公司推出了256K位闪存芯片。它有鞋盒那么大，嵌在录音机里。后来英特尔发明的这种闪存统称为NOR闪存。它结合了EPROM(可擦可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦可编程只读存储器)，并有一个SRAM接口。

　　3.与非门闪存

　　第二种类型的闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年开发，被认为是或非门闪存的理想替代品。与非门闪存的写周期比或非门闪存短90%，保存和删除处理速度相对较快。与非门的存储单元只有或非门的一半，与非门在更小的存储空间中获得更好的性能。鉴于NAND的出色性能，它经常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、SD、MMC、xD等存储卡，以及PC卡、u盘等。

　　4.发展史

　　与许多短命的信息技术相比，闪存以其16年的发展历史充分展示了其“老前辈”的风格。闪存是90年代初才进入市场的。到2000年，利润已经超过10亿美元。英飞凌闪存部门总监彼得曾说：“就闪存的生命周期而言，我们还处于上升阶段。”英飞凌认为，闪存的销量仍有上升空间，并计划加入该市场的投资。英飞凌宣布其位于德累斯顿的200mm DRAM工厂已开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌计划采用170纳米制造工艺，每月生产10，000多片晶圆。2007年，该公司希望成为NAND市场的前三名。

　　5.未来发展

　　此外，英特尔技术与制造集团副总裁斯特凡莱(Stefan Lai)认为，闪存在2008年之前将是不可替代的。2006年，英特尔将首次采用65纳米技术；到2008年，正在开发的新一代45纳米技术将投放市场。Stefan Lai认为预测还是比较简单的，也许32nm和22nm的技术完全有可能。但赖燕姿也承认，从2008年到2010年，新技术可能会取而代之。