陈绍林(南开大学泰达学院工程师)
基本介绍
中文名：陈绍林国籍：中国民族：汉族职业：南开大学泰达学院工程师个人信息
科研项目、成果、获奖、专利等情况：1.任意晶向的晶体切割及告平行度同心圆加工法 1999年《人工晶体学报》Vol.28,No.1
2.平行度小于一秒的晶体几何中心偏离机器转轴中心的抛光方法 2003年，专利号：ZL03121583.13.準确定向切割晶体的方法 2003年，专利申请号：03121582.34．《晶体加工工艺学》实验讲义。
合作成果
[1] Yunlin Chen, Cibo Lou, Jingjun Xu, Shaolin Chen, Yongfa Kong, Guangyin Zhang, and Jianping Wen, Domain Switching characteristics of near stoichiometric LiNbO3 doped with MgO, J. Appl. Phys. 94 (2003) 3350-3352.[2] Yongfa Kong, Jingjun Xu, Wanlin Zhang, Yunlin Chen, Bing Li, Shaolin Chen, Ziheng Huang, Ling Zhang, Shiguo Liu, Wenbo Yan, Hongde Liu, Xiang Xie, Lihong Shi, Xiaochun Li, and Guangyin Zhang, The OH related defect structures in low-doped lithium niobate crystals, Infr. Phys. Tech. 45 (2004) 281-289.[3] Wenbo Yan, Yongfa Kong, Xiang Xie, Xiaochun Li, Lihong Shi, and Jingjun Xu, Cibo Lou,Hongde Liu, Wanlin Zhang, and Guangyin Zhang, The H related defects in near-stoichiometric lithium niobate crystals investigated by domain reversal, Solid State Commun. (Accepted)[4] 孙军，孔勇发，李兵，张玲，刘士国，黄自恆，瓮松峰，舒永春，许京军，等径控制系统的改进及在光学级铌酸锂生长中的套用，人工晶体学报（已接收）。[5] Kong Yongfa, Xu Jingjun, Liu Hongde, Wang Yan, Yan Wenbo, Huang Ziheng, Chen Shaolin, and Zhang Guangyin, The photorefraction-resistance property of Mg-doped nearly stoichiometric lithium niobate crystals, 人工晶体学报（英文专刊）（Accepted）[6] 孔勇发，许京军，陈晓军，黄自恆，李兵，黄晖、唐柏权，陈绍林，张光寅，张玲，刘士国，近化学计量比铌酸锂晶体及其生长方法，专利号：ZL01144331.6。[7] 孙军，孔勇发，张玲，许京军，阎文博，黄自恆，刘士国，陈绍林，李剑韬，李兵，熔体注入法生长近化学比铌酸锂晶体系统及其工艺.
